Продукція > GOOD-ARK SEMICONDUCTOR > GSGP2R403

GSGP2R403 Good-Ark Semiconductor

Name: GSGP2R403
Brand: Good-Ark Semiconductor
SKU: 50780033-3
Price: 114350 UAH
Availability: InStock

Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 100.00A, 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2566 pF @ 15 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	22.87 грн
10000+	21.88 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис GSGP2R403 Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 100.00A, 3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 22.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2566 pF @ 15 V.

Інші пропозиції GSGP2R403

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	GSGP2R403	Виробник : Good-Ark Semiconductor	Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 100.00A, 3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2566 pF @ 15 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.