GSIB2580N-M3/45 Vishay General Semiconductor
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 368.87 грн |
| 10+ | 208.52 грн |
| 100+ | 148.56 грн |
| 500+ | 118.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GSIB2580N-M3/45 Vishay General Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 25A GSIB-5S, Packaging: Tube, Package / Case: 4-SIP, GSIB-5S, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GSIB-5S, Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V, Current - Average Rectified (Io): 25 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 12.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V.
Інші пропозиції GSIB2580N-M3/45
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GSIB2580N-M3/45 | Виробник : Vishay |
 Diode Rectifier Bridge Single 800V 3.5A 4-Pin Case GSIB-5S Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
GSIB2580N-M3/45 | Виробник : Vishay |
Diode Rectifier Bridge Single 800V 3.5A 4-Pin Case GSIB-5S Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
GSIB2580N-M3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 25A GSIB-5S Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GSIB-5S Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GSIB-5S Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 25 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 12.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
товару немає в наявності |