
GSIB660-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: BRIDGE RECT 1P 600V 2.8A GSIB-5S
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GSIB-5S
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GSIB-5S
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 199.75 грн |
20+ | 118.67 грн |
100+ | 94.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GSIB660-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 2.8A GSIB-5S, Packaging: Tube, Package / Case: 4-SIP, GSIB-5S, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GSIB-5S, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Current - Average Rectified (Io): 2.8 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
Інші пропозиції GSIB660-E3/45 за ціною від 79.45 грн до 213.72 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
GSIB660-E3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 476 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GSIB660-E3/45 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
GSIB660-E3/45 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
GSIB660-E3/45 | Виробник : VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |