GSP65R13HB-EVB GaN Systems
Виробник: GaN Systems
Power Management IC Development Tools 650V/13mOhm, 4-7kW Paralleled GaN High Performance IMS1 Half Bridge with Gate Drive
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GSP65R13HB-EVB GaN Systems
Power Management IC Development Tools 650V/13mOhm, 4-7kW Paralleled GaN High Performance IMS1 Half Bridge with Gate Drive.
Інші пропозиції GSP65R13HB-EVB за ціною від 40106.76 грн до 40106.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GSP65R13HB-EVB | Виробник : Infineon Technologies |
Power Management IC Development Tools 650V/13mOhm, 4-7kW Paralleled GaN High Performance IMS1 Half Bridge with Gate Drive |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|