GSP65R13HB-EVB GaN Systems
Виробник: GaN Systems
Power Management IC Development Tools 650V/13mOhm, 4-7kW Paralleled GaN High Performance IMS1 Half Bridge with Gate Drive
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GSP65R13HB-EVB GaN Systems
Power Management IC Development Tools 650V/13mOhm, 4-7kW Paralleled GaN High Performance IMS1 Half Bridge with Gate Drive.
Інші пропозиції GSP65R13HB-EVB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
GSP65R13HB-EVB | Infineon Technologies |
Power Management IC Development Tools 650V/13mOhm, 4-7kW Paralleled GaN High Performance IMS1 Half Bridge with Gate Drive |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| GSP65R13HB-EVB |
|
Виробник: Infineon Technologies
Power Management IC Development Tools 650V/13mOhm, 4-7kW Paralleled GaN High Performance IMS1 Half Bridge with Gate Drive
Power Management IC Development Tools 650V/13mOhm, 4-7kW Paralleled GaN High Performance IMS1 Half Bridge with Gate Drive
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)