GSP65R13HB-EVB Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesPower Management IC Development Tools 650V/13mOhm, 4-7kW Paralleled GaN High Performance IMS1 Half Bridge with Gate Drive
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 43620.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GSP65R13HB-EVB Infineon Technologies
Power Management IC Development Tools 650V/13mOhm, 4-7kW Paralleled GaN High Performance IMS1 Half Bridge with Gate Drive.
Інші пропозиції GSP65R13HB-EVB за ціною від 43620.46 грн до 43620.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GSP65R13HB-EVB | Виробник : GaN Systems |
Power Management IC Development Tools 650V/13mOhm, 4-7kW Paralleled GaN High Performance IMS1 Half Bridge with Gate Drive |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
| GSP65R13HB-EVB | Виробник : GaN Systems |
GaN E-HEMT Half Bridge Evaluation Module 650V/13mOhm |
товару немає в наявності |