GSP65R13HB-EVB GaN Systems
Виробник: GaN Systems
Power Management IC Development Tools 650V/13mOhm, 4-7kW Paralleled GaN High Performance IMS1 Half Bridge with Gate Drive
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GSP65R13HB-EVB GaN Systems
Power Management IC Development Tools 650V/13mOhm, 4-7kW Paralleled GaN High Performance IMS1 Half Bridge with Gate Drive.
Інші пропозиції GSP65R13HB-EVB за ціною від 40451.23 грн до 40451.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GSP65R13HB-EVB | Infineon Technologies |
Power Management IC Development Tools 650V/13mOhm, 4-7kW Paralleled GaN High Performance IMS1 Half Bridge with Gate Drive |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| GSP65R13HB-EVB |
|
Виробник: Infineon Technologies
Power Management IC Development Tools 650V/13mOhm, 4-7kW Paralleled GaN High Performance IMS1 Half Bridge with Gate Drive
Power Management IC Development Tools 650V/13mOhm, 4-7kW Paralleled GaN High Performance IMS1 Half Bridge with Gate Drive
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 40451.23 грн |