Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > GT020N04M

GT020N04M Goford Semiconductor

Name: GT020N04M
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 78855798-3
Price: 322.26 UAH
Availability: InStock

Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,40V,140A,85W,TO-263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3235 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	107.42 грн
10+	65.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис GT020N04M Goford Semiconductor

Description: MOSFET,N-CH,40V,140A,85W,TO-263, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3235 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V, Supplier Device Package: TO-263, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції GT020N04M

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	GT020N04M	Виробник : Goford Semiconductor	Description: MOSFET,N-CH,40V,140A,85W,TO-263 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3235 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V Supplier Device Package: TO-263 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR)	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.