GT023N10M Goford Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 356.25 грн |
| 10+ | 227.28 грн |
| 50+ | 177.38 грн |
| 100+ | 151.40 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT023N10M Goford Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 226A; 265W; TO263, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 226A, Power dissipation: 265W, Case: TO263, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 137nC, Technology: SGT.
Інші пропозиції GT023N10M
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
GT023N10M | Goford Semiconductor |
 Description: N100V,140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~4 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
GT023N10M | GOFORD SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 226A; 265W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 226A Power dissipation: 265W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 137nC Technology: SGT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| GT023N10M |
|
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~4
Description: N100V,140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GT023N10M |
|
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 226A; 265W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 226A
Power dissipation: 265W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 137nC
Technology: SGT
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 226A; 265W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 226A
Power dissipation: 265W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 137nC
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.