Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > GT023N10Q
GT023N10Q

GT023N10Q Goford Semiconductor

GT023N10Q.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 226A 250W TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8488 pF @ 50 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+371.41 грн
10+236.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GT023N10Q Goford Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 226A 250W TO-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8488 pF @ 50 V.

Інші пропозиції GT023N10Q за ціною від 117.16 грн до 126.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GT023N10Q Виробник : Goford Semiconductor GT023N10Q.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 226A 250W TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8488 pF @ 50 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1200+117.16 грн
Мінімальне замовлення: 1200
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10Q Виробник : GOFORD Semiconductor GT023N10Q.pdf Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
97+126.87 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.