GT023N10T

GT023N10T Goford Semiconductor


GT023N10T.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 226A 250W 2.7m(
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8086 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+90.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GT023N10T Goford Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 226A 250W 2.7m(, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8086 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції GT023N10T за ціною від 118.46 грн до 266.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GT023N10T GT023N10T Виробник : Goford Semiconductor GT023N10T.pdf Description: N100V, 140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8086 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.59 грн
50+130.69 грн
100+118.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.