GT023N10TL Goford Semiconductor
Виробник: Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 330A TOLL-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8058 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 94.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT023N10TL Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 330A TOLL-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 395W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA, Supplier Device Package: TOLL, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8058 pF @ 50 V.
Інші пропозиції GT023N10TL за ціною від 109.46 грн до 234.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GT023N10TL | Виробник : Goford Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 100V 330A TOLL-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8058 pF @ 50 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
GT023N10TL | Виробник : Goford Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 100V 330A TOLL-8 Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8058 pF @ 50 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|