Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > GT023N10TL
GT023N10TL

GT023N10TL Goford Semiconductor

GT023N10TL.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 330A TOLL-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8058 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+107.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GT023N10TL Goford Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 330A TOLL-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA, Supplier Device Package: TOLL-8L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8058 pF @ 50 V, Package / Case: 8-PowerSFN, FET Type: N-Channel, Power Dissipation (Max): 395W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V.

Інші пропозиції GT023N10TL за ціною від 111.93 грн до 292.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GT023N10TL GT023N10TL Виробник : Goford Semiconductor GT023N10TL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 330A TOLL-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8058 pF @ 50 V
Package / Case: 8-PowerSFN
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.23 грн
10+194.78 грн
100+142.95 грн
500+112.83 грн
1000+111.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10TL Виробник : GOFORD Semiconductor GT023N10TL.pdf GT023N10TL
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+116.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10TL GT023N10TL Виробник : Goford Semiconductor GT023N10TL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 330A TOLL-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8058 pF @ 50 V
Package / Case: 8-PowerSFN
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.