Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > GT025N06AD5
GT025N06AD5

GT025N06AD5 Goford Semiconductor

GT025N06AD5.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 170A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5044 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+46.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GT025N06AD5 Goford Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 170A DFN5*6-8L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5044 pF @ 30 V.

Інші пропозиції GT025N06AD5 за ціною від 45.03 грн до 180.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GT025N06AD5 GT025N06AD5 Виробник : Goford Semiconductor GT025N06AD5.pdf Description: N60V, 170A, RD<2.2M@10V,VTH1.2V~
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5044 pF @ 30 V
на замовлення 3117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.48 грн
10+112.30 грн
100+76.85 грн
500+57.92 грн
1000+57.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AD5 Виробник : GOFORD Semiconductor GT025N06AD5.pdf N-CH,60V,170A,RD(max) Less Than 2mOhm at 10V,RD(max) Less Than 2.5mOhm at 4.5V,VTH 1.2V to 2.5V,DFN5x6-8L
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+54.17 грн
15000+50.05 грн
30000+45.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AD5 GT025N06AD5 Виробник : Goford Semiconductor GT025N06AD5.pdf Description: N60V, 170A, RD<2.2M@10V,VTH1.2V~
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5044 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.