GT025N06AQ Goford Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 70.37 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT025N06AQ Goford Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 175A; 220W; TO247, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SGT, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 175A, Power dissipation: 220W, Case: TO247, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 70nC.
Інші пропозиції GT025N06AQ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GT025N06AQ | Goford Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 60V 175A 220W 2.5M(M |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
GT025N06AQ | GOFORD SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 175A; 220W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SGT Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 175A Power dissipation: 220W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 70nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| GT025N06AQ |
|
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 175A 220W 2.5M(M
Description: MOSFET N-CH 60V 175A 220W 2.5M(M
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GT025N06AQ |
|
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 175A; 220W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SGT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 175A
Power dissipation: 220W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 175A; 220W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SGT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 175A
Power dissipation: 220W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.