GT040N10T Goford Semiconductor


GT040N10T.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 140A 200W 4.5M
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+234.59 грн
10+146.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GT040N10T Goford Semiconductor

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 140A; 200W; TO220, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 140A, Power dissipation: 200W, Case: TO220, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: THT, Gate charge: 0.1µC, Kind of channel: enhancement, Technology: SGT, Application: automotive industry.

Інші пропозиції GT040N10T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GT040N10T GT040N10T GOFORD SEMICONDUCTOR GT040N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 140A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT040N10T GT040N10T.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 140A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.