GT060N04D5 Goford Semiconductor

---

Виробник: Goford Semiconductor
Description: N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1276 pF @ 20 V

на замовлення 4820 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	72.62 грн
10+	43.67 грн
100+	28.50 грн
500+	20.63 грн
1000+	18.66 грн
2000+	17.00 грн

Мінімальне замовлення: 5

купити

В кошику  од. на суму  грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис GT060N04D5 Goford Semiconductor

Інші пропозиції GT060N04D5 за ціною від 18.10 грн до 18.10 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна
	GT060N04D5	Виробник : GOFORD Semiconductor	N-CH,40V,62A,RD(max) Less Than 6.5mOhm at 10V,RD(max) Less Than 8.5mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.3V, DFN5x6-8L	на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна 5000+ 18.10 грн Мінімальне замовлення: 5000 купити В кошику  од. на суму  грн.
	GT060N04D5	Виробник : Goford Semiconductor	Description: N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2. Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1276 pF @ 20 V	товару немає в наявності	купити В кошику  од. на суму  грн.