Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > GT065P06T
GT065P06T

GT065P06T Goford Semiconductor

GT065P06T.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 82A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+48.93 грн
8000+44.93 грн
16000+43.47 грн
30000+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GT065P06T Goford Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 60V 82A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V.

Інші пропозиції GT065P06T за ціною від 61.76 грн до 170.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GT065P06T GT065P06T Goford Semiconductor GT065P06T.pdf Description: P-60V,-82A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VTH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5335 pF @ 30 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT065P06T GOFORD Semiconductor GT065P06T.pdf P-CH,-60V,-82A,RD(max) Less Than 7.5mOhm at -10V,RD(max) Less Than 9.5mOhm at -4.5V,VTH-1V to -2.5V ,TO-220
на замовлення 16450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+66.95 грн
15000+61.76 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT065P06T GT065P06T.pdf
GT065P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-82A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VTH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5335 pF @ 30 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+170.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT065P06T GT065P06T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-82A,RD(max) Less Than 7.5mOhm at -10V,RD(max) Less Than 9.5mOhm at -4.5V,VTH-1V to -2.5V ,TO-220
на замовлення 16450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
212+66.95 грн
15000+61.76 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.