GT090N06D52 Goford Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 138.96 грн |
| 10+ | 85.06 грн |
| 50+ | 64.02 грн |
| 100+ | 53.69 грн |
| 500+ | 42.47 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT090N06D52 Goford Semiconductor
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; SGT; unipolar; 60V; 40A; 62W; DFN5x6-8, Type of transistor: N-MOSFET x2, Technology: SGT, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 40A, Power dissipation: 62W, Case: DFN5x6-8, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 22nC.
Інші пропозиції GT090N06D52 за ціною від 40.20 грн до 69.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GT090N06D52 | GOFORD Semiconductor |
 Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| GT090N06D52 | GOFORD SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; SGT; unipolar; 60V; 40A; 62W; DFN5x6-8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: SGT Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 40A Power dissipation: 62W Case: DFN5x6-8 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 22nC |
на замовлення 4998 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| GT090N06D52 |
|
Виробник: GOFORD Semiconductor
Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 40.20 грн |
| GT090N06D52 |
|
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; SGT; unipolar; 60V; 40A; 62W; DFN5x6-8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: SGT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 62W
Case: DFN5x6-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; SGT; unipolar; 60V; 40A; 62W; DFN5x6-8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: SGT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 62W
Case: DFN5x6-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 69.94 грн |
| 10+ | 58.11 грн |
| 22+ | 45.46 грн |
| 59+ | 42.98 грн |
| 1000+ | 41.44 грн |
| 2500+ | 41.27 грн |