GT090N06D52 Goford Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 135.29 грн |
| 10+ | 83.04 грн |
| 50+ | 62.47 грн |
| 100+ | 52.39 грн |
| 500+ | 41.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT090N06D52 Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 62W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 14A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75).
Інші пропозиції GT090N06D52 за ціною від 38.48 грн до 38.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GT090N06D52 | GOFORD Semiconductor |
 Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| GT090N06D52 |
|
Виробник: GOFORD Semiconductor
Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 38.48 грн |