Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > GT090N06D52
GT090N06D52

GT090N06D52 Goford Semiconductor

GOFORD-GT090N06D52.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-DFN (4.9x5.75)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 62W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerTDFN
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+27.21 грн
15000+ 24.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GT090N06D52 Goford Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-DFN (4.9x5.75), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 62W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 14A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, FET Feature: Standard, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PowerTDFN, Part Status: Active.

Інші пропозиції GT090N06D52 за ціною від 28.46 грн до 75.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GT090N06D52 GT090N06D52 Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-GT090N06D52.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-DFN (4.9x5.75)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 62W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerTDFN
Part Status: Active
на замовлення 4289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+75.64 грн
10+ 59.93 грн
100+ 46.65 грн
500+ 37.11 грн
1000+ 30.23 грн
2000+ 28.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
GT090N06D52 Виробник : GOFORD Semiconductor GOFORD-GT090N06D52.pdf Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+31.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT090N06D52 GT090N06D52 Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-GT090N06D52.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-DFN (4.9x5.75)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 62W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerTDFN
Part Status: Active
товар відсутній