GT095N10D5 Goford Semiconductor
Виробник: Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 55A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 35A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 21.81 грн |
| 15000+ | 19.42 грн |
| 30000+ | 17.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT095N10D5 Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 55A DFN5*6-8L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 35A, 10V, FET Feature: Standard, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V.
Інші пропозиції GT095N10D5 за ціною від 22.33 грн до 73.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GT095N10D5 | Виробник : Goford Semiconductor |
Description: N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 35A, 10V FET Feature: Standard Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GT095N10D5 | Виробник : Goford Semiconductor |
Description: N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 35A, 10V FET Feature: Standard Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V |
на замовлення 14841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| GT095N10D5 | Виробник : GOFORD Semiconductor |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|