Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > GT1003A
GT1003A

GT1003A Goford Semiconductor

GT1003A.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 3A,RD<140M@10V,VTH1.0V~3.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 50 V
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.28 грн
16+20.12 грн
100+12.70 грн
500+8.90 грн
1000+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GT1003A Goford Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT-23-3L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V.

Інші пропозиції GT1003A за ціною від 3.91 грн до 4.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GT1003A Виробник : GOFORD Semiconductor GT1003A.pdf High Density Cell Design MOSFET
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.73 грн
15000+4.40 грн
30000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003A GT1003A Виробник : Goford Semiconductor GT1003A.pdf Description: N100V, 3A,RD<140M@10V,VTH1.0V~3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003A GT1003A Виробник : Goford Semiconductor GT1003A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.