GT1003A Goford Semiconductor


GT1003A.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 3A,RD<140M@10V,VTH1.0V~3.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 50 V
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.47 грн
16+19.06 грн
100+12.03 грн
500+8.43 грн
1000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 10 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GT1003A Goford Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT-23-3L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V.

Інші пропозиції GT1003A за ціною від 4.57 грн до 5.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GT1003A GOFORD Semiconductor GT1003A.pdf High Density Cell Design MOSFET
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.52 грн
15000+5.14 грн
30000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003A GT1003A.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
High Density Cell Design MOSFET
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.52 грн
15000+5.14 грн
30000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.