на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3125+ | 3.74 грн |
| 15000+ | 3.46 грн |
| 30000+ | 3.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT1003D GOFORD Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT-23-3L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3L, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 212 pF @ 50 V.
Інші пропозиції GT1003D за ціною від 3.35 грн до 3.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GT1003D | Виробник : GOFORD Semiconductor | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| GT1003D | Виробник : Goford Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT-23-3L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3L Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 212 pF @ 50 V |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |