Технічний опис GT100N12D5 Goford Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 120V; 70A; 100W; DFN5x6-8, Case: DFN5x6-8, Power dissipation: 100W, Gate charge: 45nC, Polarisation: unipolar, Technology: SGT, Drain current: 70A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 120V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD.
Інші пропозиції GT100N12D5 за ціною від 38.29 грн до 38.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GT100N12D5 | GOFORD Semiconductor |
 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| GT100N12D5 |
|
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 38.29 грн |