Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > GT105N10K
GT105N10K

GT105N10K Goford Semiconductor

GT105N10K.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, 100V,60A,TO-252
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GT105N10K Goford Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, 100V,60A,TO-252, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-252, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції GT105N10K за ціною від 72.56 грн до 119.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GT105N10K GT105N10K Виробник : Goford Semiconductor GT105N10K.pdf Description: MOSFET, N-CH, 100V,60A,TO-252
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.18 грн
10+72.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10K GT105N10K Виробник : Goford Semiconductor GT105N10K.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.