GT10N10 Goford Semiconductor
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 7A,RD<140M@10V,VTH1.5V~2.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.5A, 10V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 14.41 грн |
| 7500+ | 12.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT10N10 Goford Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 9A; 23W; TO252, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 9A, Power dissipation: 23W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Gate charge: 5nC, Kind of channel: enhancement, Technology: SGT.
Інші пропозиції GT10N10 за ціною від 10.35 грн до 12.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GT10N10 | GOFORD Semiconductor |
N-CH 100V 7A 140mOhm/MAX at 10V, 175mOhm/MAX at 4.5V ,TO-252 |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| GT10N10 |
|
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 100V 7A 140mOhm/MAX at 10V, 175mOhm/MAX at 4.5V ,TO-252
N-CH 100V 7A 140mOhm/MAX at 10V, 175mOhm/MAX at 4.5V ,TO-252
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 12.42 грн |
| 15000+ | 11.48 грн |
| 30000+ | 10.35 грн |