GT110N06D3 Goford Semiconductor

---

Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 35A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1059 pF @ 30 V

на замовлення 3330 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
7+	41.89 грн
10+	35.47 грн
100+	24.56 грн
500+	19.26 грн
1000+	16.39 грн
2000+	14.59 грн

Мінімальне замовлення: 7

купити

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис GT110N06D3 Goford Semiconductor

Інші пропозиції GT110N06D3 за ціною від 16.23 грн до 17.24 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	GT110N06D3	Виробник : GOFORD Semiconductor	N-CH,60V,35A,RD(max) Less Than 11mOhm at 10V,RD(max) Less Than 14mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.4V,DFN3x3-8L	на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 5000+ 17.24 грн 15000+  16.23 грн Мінімальне замовлення: 5000 купити
	GT110N06D3	Виробник : Goford Semiconductor	Description: N60V, 35A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V FET Feature: Standard Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1059 pF @ 30 V	товар відсутній	купити