Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > GT250P10T
GT250P10T

GT250P10T Goford Semiconductor

GT250P10T.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 56A 173.6W 30m(
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 173.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4059 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+48.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GT250P10T Goford Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 100V 56A 173.6W 30m(, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 173.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4059 pF @ 50 V.

Інші пропозиції GT250P10T за ціною від 60.28 грн до 186.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GT250P10T GT250P10T Виробник : Goford Semiconductor GT250P10T.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 56A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 173.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4059 pF @ 50 V
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.32 грн
50+88.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT250P10T Виробник : GOFORD Semiconductor GT250P10T.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
215+60.28 грн
Мінімальне замовлення: 215
В кошику  од. на суму  грн.
GT250P10T Виробник : GOFORD Semiconductor GT250P10T.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+63.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
GT250P10T Виробник : GOFORD SEMICONDUCTOR GT250P10T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -100V; -56A; 173.6W; TO220
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SGT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -56A
Gate charge: 73nC
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 173.6W
Case: TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.