GT30J65MRB,S1E(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - GT30J65MRB,S1E(S - IGBT, 60 A, 1.4 V, 200 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 250.63 грн |
| 10+ | 239.48 грн |
| 100+ | 201.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT30J65MRB,S1E(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - GT30J65MRB,S1E(S - IGBT, 60 A, 1.4 V, 200 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-3P, Dauerkollektorstrom: 60A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції GT30J65MRB,S1E(S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| GT30J65MRB,S1E(S | Виробник : Toshiba | HALBLEITERBAUELEMENTE, TRANSISTOR, DISCRETE IGBT WITH DIODE |
товару немає в наявності |