Продукція > TOSHIBA > GT30J65MRB,S1E(S
GT30J65MRB,S1E(S

GT30J65MRB,S1E(S TOSHIBA

Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - GT30J65MRB,S1E(S - IGBT, 60 A, 1.4 V, 200 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+316.91 грн
10+265.74 грн
25+232.73 грн
100+183.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GT30J65MRB,S1E(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - GT30J65MRB,S1E(S - IGBT, 60 A, 1.4 V, 200 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції GT30J65MRB,S1E(S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GT30J65MRB,S1E(S Виробник : Toshiba HALBLEITERBAUELEMENTE, TRANSISTOR, DISCRETE IGBT WITH DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.