Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > GT400P10M
GT400P10M

GT400P10M Goford Semiconductor

GOFORD-GT400P10M.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-263
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3073 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+44.42 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GT400P10M Goford Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-263, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3073 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: TO-263, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 106W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide).

Інші пропозиції GT400P10M за ціною від 61.38 грн до 121.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GT400P10M GT400P10M Goford Semiconductor GOFORD-GT400P10M.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3073 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+68.05 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GT400P10M Goford Semiconductor GOFORD-GT400P10M.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3073 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.49 грн
10+97.29 грн
100+77.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GOFORD Semiconductor GOFORD-GT400P10M.pdf GT400P10M
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+61.38 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GOFORD-GT400P10M.pdf
GT400P10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3073 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+68.05 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GOFORD-GT400P10M.pdf
GT400P10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3073 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+121.49 грн
10+97.29 грн
100+77.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GOFORD-GT400P10M.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT400P10M
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+61.38 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.