Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > GT400P10T
GT400P10T

GT400P10T Goford Semiconductor

GOFORD-GT400P10T.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-220
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3223 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+42.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GT400P10T Goford Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-220, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: TO-220, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 106W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3223 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V.

Інші пропозиції GT400P10T за ціною від 57.81 грн до 117.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GT400P10T GT400P10T Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-GT400P10T.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3223 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.61 грн
10+93.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10T Виробник : GOFORD Semiconductor GOFORD-GT400P10T.pdf GT400P10T
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+57.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10T Виробник : GOFORD SEMICONDUCTOR GOFORD-GT400P10T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -100V; -35A; 106W; TO220
Case: TO220
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SGT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -35A
Gate charge: 46nC
Power dissipation: 106W
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.