Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > GT52N10D5
GT52N10D5

GT52N10D5 Goford Semiconductor

SOLDING_PROFILE.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 71A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5.2x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2626 pF @ 50 V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+30.57 грн
15000+ 27.16 грн
30000+ 24.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GT52N10D5 Goford Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 71A DFN5*6-8L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V, FET Feature: Standard, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5.2x5.86), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2626 pF @ 50 V.

Інші пропозиції GT52N10D5 за ціною від 33.3 грн до 98.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GT52N10D5 GT52N10D5 Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-GT52N10D5.pdf Description: N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5.2x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2626 pF @ 50 V
на замовлення 14080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+98.44 грн
10+ 79.16 грн
100+ 62.96 грн
500+ 49.99 грн
1000+ 42.42 грн
2000+ 40.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT52N10D5 Виробник : GOFORD Semiconductor GOFORD-GT52N10D5.pdf SOLDING_PROFILE.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+36.09 грн
15000+ 33.3 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT52N10D5 GT52N10D5 Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-GT52N10D5.pdf Description: N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5.2x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2626 pF @ 50 V
товар відсутній