GT52N10D5 Goford Semiconductor
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 145.78 грн |
| 10+ | 89.50 грн |
| 50+ | 67.58 грн |
| 100+ | 56.76 грн |
| 500+ | 45.09 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT52N10D5 Goford Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 71A; 100W; DFN5x6-8, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SGT, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 71A, Power dissipation: 100W, Case: DFN5x6-8, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Gate charge: 50nC, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції GT52N10D5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GT52N10D5 | GOFORD |
N-Channel 100 V 71A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount 8-DFN Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
|
GT52N10D5 | Goford Semiconductor |
Description: N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
| GT52N10D5 | GOFORD SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 71A; 100W; DFN5x6-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SGT Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 71A Power dissipation: 100W Case: DFN5x6-8 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
GT52N10D5 | GOFORD Semiconductor |
N-CH,100V,71A,RD(max) Less Than 7.5mOhm at 10V,RD(max) Less Than 10mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V,DFN8L-5x6 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
| GT52N10D5 |
|
Виробник: GOFORD
N-Channel 100 V 71A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount 8-DFN Транзистори
N-Channel 100 V 71A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount 8-DFN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GT52N10D5 |
|
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 50 V
Description: N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GT52N10D5 |
|
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 71A; 100W; DFN5x6-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SGT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 71A
Power dissipation: 100W
Case: DFN5x6-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 71A; 100W; DFN5x6-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SGT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 71A
Power dissipation: 100W
Case: DFN5x6-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GT52N10D5 |
|
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,100V,71A,RD(max) Less Than 7.5mOhm at 10V,RD(max) Less Than 10mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V,DFN8L-5x6
N-CH,100V,71A,RD(max) Less Than 7.5mOhm at 10V,RD(max) Less Than 10mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V,DFN8L-5x6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.