Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > GT700P08D3
GT700P08D3

GT700P08D3 Goford Semiconductor

GOFORD-GT700P08D3.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-80V,-16A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1591 pF @ 40 V
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.82 грн
10+ 38.92 грн
100+ 26.93 грн
500+ 21.12 грн
1000+ 17.97 грн
2000+ 16.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GT700P08D3 Goford Semiconductor

Description: P-80V,-16A,RD(MAX).

Інші пропозиції GT700P08D3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GT700P08D3 GT700P08D3 Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-GT700P08D3.pdf Description: P-80V,-16A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1591 pF @ 40 V
товар відсутній