Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > GT700P08K
GT700P08K

GT700P08K Goford Semiconductor

GT700P08K.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-80V,-20A,RD(MAX)<72M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1615 pF @ 40 V
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+88.92 грн
10+53.68 грн
100+35.38 грн
500+25.81 грн
1000+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GT700P08K Goford Semiconductor

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -80V; -20A; 125W; TO252, Case: TO252, Mounting: SMD, Power dissipation: 125W, Gate charge: 75nC, Polarisation: unipolar, Technology: SGT, Drain current: -20A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: -80V, Type of transistor: P-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V.

Інші пропозиції GT700P08K

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GT700P08K GT700P08K Goford Semiconductor GT700P08K.pdf Description: P-80V,-20A,RD(MAX)<72M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1615 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08K GT700P08K GOFORD SEMICONDUCTOR GT700P08K.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -80V; -20A; 125W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Gate charge: 75nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: -20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -80V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08K GT700P08K.pdf
GT700P08K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-80V,-20A,RD(MAX)<72M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1615 pF @ 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08K GT700P08K.pdf
GT700P08K
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -80V; -20A; 125W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Gate charge: 75nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: -20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -80V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.