Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > GT750P10K
GT750P10K

GT750P10K Goford Semiconductor

GOFORD-GT750P10K.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-CH,-100V,-24A,RD(MAX)<85M@-10V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 50 V
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.39 грн
10+ 50.15 грн
100+ 38.99 грн
500+ 31.02 грн
1000+ 25.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GT750P10K Goford Semiconductor

Description: P-CH,-100V,-24A,RD(MAX).

Інші пропозиції GT750P10K

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GT750P10K GT750P10K Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-GT750P10K.pdf Description: P-CH,-100V,-24A,RD(MAX)<85M@-10V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 50 V
товар відсутній