GWA40MS120DF4AG STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - GWA40MS120DF4AG - IGBT, 80 A, 1.95 V, 536 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GWA40MS120DF4AG STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - GWA40MS120DF4AG - IGBT, 80 A, 1.95 V, 536 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 536W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 80A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MS Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції GWA40MS120DF4AG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GWA40MS120DF4AG | STMicroelectronics | IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 1200 V 40 A low-loss MS series IGBT in a |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| GWA40MS120DF4AG |
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 1200 V 40 A low-loss MS series IGBT in a
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 1200 V 40 A low-loss MS series IGBT in a
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)