H11A1W ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - H11A1W - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3562+ | 9.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис H11A1W ONSEMI
Description: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6-DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 6-DIP (0.400", 10.16mm), Output Type: Transistor with Base, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 100°C, Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.18V, Input Type: DC, Voltage - Isolation: 5300Vrms, Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 10mA, Vce Saturation (Max): 400mV, Supplier Device Package: 6-DIP, Voltage - Output (Max): 30V, Turn On / Turn Off Time (Typ): 2µs, 2µs, Part Status: Obsolete, Number of Channels: 1, Current - DC Forward (If) (Max): 100 mA.
Інші пропозиції H11A1W за ціною від 10.75 грн до 12.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
H11A1W | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6-DIP Packaging: Tube Package / Case: 6-DIP (0.400", 10.16mm) Output Type: Transistor with Base Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 100°C Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.18V Input Type: DC Voltage - Isolation: 5300Vrms Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 10mA Vce Saturation (Max): 400mV Supplier Device Package: 6-DIP Voltage - Output (Max): 30V Turn On / Turn Off Time (Typ): 2µs, 2µs Part Status: Obsolete Number of Channels: 1 Current - DC Forward (If) (Max): 100 mA |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| H11A1W | Виробник : FAIRCHILD |
H11A1W |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|