H11AA1TVM onsemi


h11aa4m-d.pdf
Виробник: onsemi
Transistor Output Optocouplers MOT AC IN-TRANS OUT
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис H11AA1TVM onsemi

Description: OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 6-DIP (0.400", 10.16mm), Output Type: Transistor with Base, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 100°C, Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.17V, Input Type: AC, DC, Current - Output / Channel: 50mA, Voltage - Isolation: 4170Vrms, Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 10mA, Vce Saturation (Max): 400mV, Supplier Device Package: 6-DIP, Voltage - Output (Max): 30V, Part Status: Active, Number of Channels: 1, Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA.

Інші пропозиції H11AA1TVM

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
H11AA1TVM H11AA1TVM ONSEMI FAIR-S-A0002308634-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - H11AA1TVM - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 816 шт
В кошику  од. на суму  грн.
H11AA1TVM FAIR-S-A0002308634-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - H11AA1TVM - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 816 шт
В кошику  од. на суму  грн.