Технічний опис H11G2TVM ON Semiconductor
Description: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6-DIP, Packaging: Bulk, Package / Case: 6-DIP (0.400", 10.16mm), Output Type: Darlington with Base, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 100°C, Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V, Input Type: DC, Voltage - Isolation: 4170Vrms, Current Transfer Ratio (Min): 1000% @ 10mA, Vce Saturation (Max): 1V, Supplier Device Package: 6-DIP, Voltage - Output (Max): 80V, Turn On / Turn Off Time (Typ): 5µs, 100µs, Number of Channels: 1, Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA.
Інші пропозиції H11G2TVM
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
H11G2TVM | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
H11G2TVM | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 6-DIP (0.400", 10.16mm) Output Type: Darlington with Base Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V Input Type: DC Voltage - Isolation: 4170Vrms Current Transfer Ratio (Min): 1000% @ 10mA Vce Saturation (Max): 1V Supplier Device Package: 6-DIP Voltage - Output (Max): 80V Turn On / Turn Off Time (Typ): 5µs, 100µs Number of Channels: 1 Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA |
товару немає в наявності |
|
H11G2TVM | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |