HAS350M12BM3

HAS350M12BM3 Wolfspeed, Inc.


Wolfspeed_HAS350M12BM3_data_sheet.pdf Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 350A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+74001.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HAS350M12BM3 Wolfspeed, Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 1200V 350A, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A, FET Feature: Silicon Carbide (SiC).

Інші пропозиції HAS350M12BM3 за ціною від 80638.63 грн до 80638.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HAS350M12BM3 HAS350M12BM3 Виробник : Wolfspeed Wolfspeed_HAS350M12BM3_data_sheet.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC, Module, 350A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+80638.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.