HAS530M12BM3 Wolfspeed, Inc.
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 530A
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530A
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HAS530M12BM3 Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 530A, FET Feature: Silicon Carbide (SiC), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530A, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Technology: Silicon Carbide (SiC), Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції HAS530M12BM3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
HAS530M12BM3 | Wolfspeed |
Discrete Semiconductor Modules SiC, Module, 530A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| HAS530M12BM3 |
|
Виробник: Wolfspeed
Discrete Semiconductor Modules SiC, Module, 530A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment
Discrete Semiconductor Modules SiC, Module, 530A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)