HAS530M12BM3 Wolfspeed, Inc.
Виробник: Wolfspeed, Inc.Description: MOSFET 2N-CH 1200V 530A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530A
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 83812.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HAS530M12BM3 Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 530A, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530A, FET Feature: Silicon Carbide (SiC).
Інші пропозиції HAS530M12BM3 за ціною від 93291.57 грн до 93291.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HAS530M12BM3 | Виробник : Wolfspeed |
Discrete Semiconductor Modules SiC, Module, 530A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|