Продукція > WOLFSPEED > HAS530M12BM3
HAS530M12BM3

HAS530M12BM3 Wolfspeed

Wolfspeed_HAS530M12BM3_data_sheet.pdf
Виробник: Wolfspeed
Discrete Semiconductor Modules SiC, Module, 530A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment
на замовлення 11 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+64017.15 грн
10+53053.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HAS530M12BM3 Wolfspeed

Description: MOSFET 2N-CH 1200V 530A, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530A, FET Feature: Silicon Carbide (SiC).

Інші пропозиції HAS530M12BM3 за ціною від 81412.85 грн до 81412.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HAS530M12BM3 HAS530M12BM3 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_HAS530M12BM3_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 530A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530A
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+81412.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HAS530M12BM3 Wolfspeed_HAS530M12BM3_data_sheet.pdf
HAS530M12BM3
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 530A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530A
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+81412.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.