HAS530M12BM3 Wolfspeed
Виробник: WolfspeedDiscrete Semiconductor Modules SiC, Module, 530A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 72573.36 грн |
| 10+ | 63100.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HAS530M12BM3 Wolfspeed
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 530A, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530A, FET Feature: Silicon Carbide (SiC).
Інші пропозиції HAS530M12BM3 за ціною від 86001.32 грн до 86001.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HAS530M12BM3 | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 530A Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530A FET Feature: Silicon Carbide (SiC) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|