HAS530M12BM3 Wolfspeed
Виробник: Wolfspeed
Discrete Semiconductor Modules SiC, Module, 530A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HAS530M12BM3 Wolfspeed
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 530A, FET Feature: Silicon Carbide (SiC), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530A, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Technology: Silicon Carbide (SiC), Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції HAS530M12BM3 за ціною від 82549.01 грн до 82549.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HAS530M12BM3 | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 530A FET Feature: Silicon Carbide (SiC) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530A Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Technology: Silicon Carbide (SiC) Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|