Продукція > RENESAS > HAT2096H-EL-E

HAT2096H-EL-E RENESAS


hat2096h-datasheet Виробник: RENESAS
LEPAK
на замовлення 2194 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HAT2096H-EL-E RENESAS

Description: MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 20W (Tc), Supplier Device Package: LFPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V.

Інші пропозиції HAT2096H-EL-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
HAT2096H-EL-E HAT2096H-EL-E Виробник : Renesas Electronics Corporation hat2096h-datasheet Description: MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V
товар відсутній