Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > HAT2165N-EL-E
HAT2165N-EL-E

HAT2165N-EL-E Renesas Electronics Corporation

RNCCS19553-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 55A 8LFPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: 8-LFPAK-iV
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5180 pF @ 10 V
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
145+145.95 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HAT2165N-EL-E Renesas Electronics Corporation

Description: MOSFET N-CH 30V 55A 8LFPAK, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 27.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Supplier Device Package: 8-LFPAK-iV, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5180 pF @ 10 V.

Інші пропозиції HAT2165N-EL-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HAT2165N-EL-E Виробник : RENESAS RNCCS19553-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2008+ LFPKA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.