Продукція > RENESAS ELECTRONICS > HAT2168H-EL-E

HAT2168H-EL-E Renesas Electronics

Виробник: Renesas Electronics
MOSFET MOSFET - 30V LFPAK - Lead Free

на замовлення 276 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис HAT2168H-EL-E Renesas Electronics

Description: MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 15W (Tc), Supplier Device Package: LFPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 10 V.

Інші пропозиції HAT2168H-EL-E

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
HAT2168H-EL-E	Виробник : RENESAS		на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
HAT2168H-EL-E	Виробник : RENESAS	SOT669	на замовлення 2450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
HAT2168H-EL-E	Виробник : Renesas Electronics Corporation	Description: MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Supplier Device Package: LFPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 10 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
HAT2168H-EL-E	Виробник : Renesas Electronics Corporation	Description: MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Supplier Device Package: LFPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 10 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.