HAT2172N-EL-E Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 30A 8LFPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Supplier Device Package: 8-LFPAK-iV
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 10 V
на замовлення 27200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 163+ | 132.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HAT2172N-EL-E Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 30A 8LFPAK, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 20W (Tc), Supplier Device Package: 8-LFPAK-iV, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 10 V.
Інші пропозиції HAT2172N-EL-E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| HAT2172N-EL-E | Виробник : RENESAS |
09+ LFPKA |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |