Продукція > DIODES INCORPORATED > HBDM60V600W-7

HBDM60V600W-7 Diodes Incorporated

Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис HBDM60V600W-7 Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, 600mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-363, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції HBDM60V600W-7

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
HBDM60V600W-7	Diodes Incorporated	Description: TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, 600mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Obsolete	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
HBDM60V600W-7	Diodes Incorporated	Bipolar Transistors - BJT 200mW Half H-Bridge	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
HBDM60V600W-7	onsemi / Fairchild	Bipolar Transistors - BJT	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
HBDM60V600W-7	Diodes Zetex	Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.5A/0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн.

HBDM60V600W-7

Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HBDM60V600W-7

Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 200mW Half H-Bridge

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HBDM60V600W-7

Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HBDM60V600W-7

Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.5A/0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.