Продукція > DIODES INCORPORATED > HBDM60V600X-7
HBDM60V600X-7

HBDM60V600X-7 Diodes Incorporated

HBDM60V600X.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN/PNP 60V/80V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.85 грн
6000+8.65 грн
9000+8.22 грн
15000+7.27 грн
21000+7.00 грн
30000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HBDM60V600X-7 Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN/PNP 60V/80V SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 600mA, 500mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, 80V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-363, Part Status: Active.

Інші пропозиції HBDM60V600X-7 за ціною від 8.02 грн до 43.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HBDM60V600X-7 HBDM60V600X-7 Diodes Incorporated HBDM60V600X.pdf Description: TRANS NPN/PNP 60V/80V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 33190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.51 грн
12+25.83 грн
100+16.48 грн
500+11.68 грн
1000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HBDM60V600X-7 HBDM60V600X-7 Diodes Incorporated HBDM60V600X-3104080.pdf Bipolar Transistors - BJT Functional Array SOT363 T&R 3K
на замовлення 16564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.57 грн
13+26.69 грн
100+14.91 грн
500+11.18 грн
1000+9.85 грн
3000+8.37 грн
6000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HBDM60V600X-7 HBDM60V600X.pdf
HBDM60V600X-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN/PNP 60V/80V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 33190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.51 грн
12+25.83 грн
100+16.48 грн
500+11.68 грн
1000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HBDM60V600X-7 HBDM60V600X-3104080.pdf
HBDM60V600X-7
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT Functional Array SOT363 T&R 3K
на замовлення 16564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.57 грн
13+26.69 грн
100+14.91 грн
500+11.18 грн
1000+9.85 грн
3000+8.37 грн
6000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.