HBDM60V600X-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN/PNP 60V/80V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.23 грн |
| 6000+ | 8.99 грн |
| 9000+ | 8.54 грн |
| 15000+ | 7.55 грн |
| 21000+ | 7.27 грн |
| 30000+ | 7.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HBDM60V600X-7 Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN/PNP 60V/80V SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 600mA, 500mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, 80V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-363, Part Status: Active.
Інші пропозиції HBDM60V600X-7 за ціною від 8.66 грн до 47.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
HBDM60V600X-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN/PNP 60V/80V SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 600mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, 80V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: SOT-363 |
на замовлення 33190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HBDM60V600X-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT Functional Array SOT363 T&R 3K |
на замовлення 16564 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|