HCT7000M TT ELECTRONICS
Виробник: TT ELECTRONICS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 200mA; 300mW
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 5Ω
Gate-source voltage: 40V
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 2301.25 грн |
| 14+ | 1887.80 грн |
| 28+ | 1850.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HCT7000M TT ELECTRONICS
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA 3SMD, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: 3-SMD, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±40V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Інші пропозиції HCT7000M
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
HCT7000M | TT Electronics/Optek Technology |
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA 3SMDPackaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 3-SMD Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 160 шт В кошику од. на суму грн. |
|
HCT7000M | Optek / TT Electronics |
MOSFETs N-Chan Transistor |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 160 шт В кошику од. на суму грн. |
| HCT7000M |
![]() |
Виробник: TT Electronics/Optek Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA 3SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 3-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA 3SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 3-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику
од. на суму грн.
| HCT7000M |
![]() |
Виробник: Optek / TT Electronics
MOSFETs N-Chan Transistor
MOSFETs N-Chan Transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику
од. на суму грн.



