HDBL103G Taiwan Semiconductor Corporation

Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DBL
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 58.09 грн |
50+ | 28.86 грн |
100+ | 25.95 грн |
500+ | 19.42 грн |
1000+ | 18.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HDBL103G Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DBL, Packaging: Tube, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: DBL, Grade: Automotive, Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V, Current - Average Rectified (Io): 1 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції HDBL103G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
HDBL103G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
HDBL103G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |