HDBL105GH Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DBL
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 74.31 грн |
| 10+ | 48.20 грн |
| 100+ | 33.29 грн |
| 500+ | 24.91 грн |
| 1000+ | 22.83 грн |
| 2000+ | 21.07 грн |
| 5000+ | 18.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HDBL105GH Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R, Packaging: Tube, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: DBL, Grade: Automotive, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Current - Average Rectified (Io): 1 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції HDBL105GH
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
HDBL105GH | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Bridge Rectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |