HDBL106G Taiwan Semiconductor Corporation


HDBL101G SERIES_G2103.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DBL
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DBL
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.00 грн
50+35.88 грн
100+32.25 грн
500+24.14 грн
1000+22.12 грн
2000+20.41 грн
5000+18.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HDBL106G Taiwan Semiconductor Corporation

Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DBL, Qualification: AEC-Q101, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A, Current - Average Rectified (Io): 1 A, Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: DBL, Technology: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Diode Type: Single Phase, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Packaging: Tube.

Інші пропозиції HDBL106G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HDBL106G HDBL106G Taiwan Semiconductor HDBL101G SERIES_G2103.pdf Bridge Rectifiers 75ns, 1A, 800V, High Efficient Recovery Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HDBL106G HDBL101G SERIES_G2103.pdf
HDBL106G
Виробник: Taiwan Semiconductor
Bridge Rectifiers 75ns, 1A, 800V, High Efficient Recovery Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.