
HER301G Taiwan Semiconductor
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 44.89 грн |
10+ | 37.58 грн |
100+ | 23.90 грн |
1250+ | 20.31 грн |
2500+ | 18.17 грн |
10000+ | 17.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HER301G Taiwan Semiconductor
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - HER301G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 3 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: 50ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції HER301G за ціною від 8.56 грн до 45.65 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
HER301G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 125A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
HER301G | Виробник : Yangjie Electronic Technology |
![]() |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
HER301G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; Ufmax: 1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching Kind of package: tape Max. forward impulse current: 125A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1V Reverse recovery time: 50ns кількість в упаковці: 5 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
HER301G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
HER301G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; Ufmax: 1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching Kind of package: tape Max. forward impulse current: 125A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1V Reverse recovery time: 50ns |
товару немає в наявності |