
HER306G Taiwan Semiconductor Corporation

Description: DIODE STANDARD 600V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1250+ | 14.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HER306G Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 600V 3A DO201AD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-201AD, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-201AD, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
Інші пропозиції HER306G за ціною від 8.52 грн до 48.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
HER306G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
HER306G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
HER306G | Виробник : Yangjie Electronic Technology |
![]() |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
HER306G | Виробник : ---- |
![]() |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
HER306G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching Kind of package: tape Max. forward impulse current: 125A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1.7V Reverse recovery time: 75ns кількість в упаковці: 5 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
HER306G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching Kind of package: tape Max. forward impulse current: 125A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1.7V Reverse recovery time: 75ns |
товару немає в наявності |