HER307G R0G TAIWAN SEMICONDUCTOR
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - HER307G R0G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 125 A
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassstoßstrom: 125
Durchlassspannung Vf max.: 1.7
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 75
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7
Sperrverzögerungszeit: 75
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 125
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 800
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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Технічний опис HER307G R0G TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - HER307G R0G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 125 A, Bauform - Diode: DO-201AA, Durchlassstoßstrom: 125, Durchlassspannung Vf max.: 1.7, Diodenkonfiguration: Einfach, Sperrerholzeit Trr, max.: 75, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.7, Sperrverzögerungszeit: 75, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800, Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 125, Betriebstemperatur, max.: 150, Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 800, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції HER307G R0G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
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HER307G R0G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD |
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HER307G R0G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Rectifiers 75ns, 3A, 800V, High Efficient Recovery Rectifier |
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