HER307G Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1250+ | 14.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HER307G Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - HER307G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AA, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.7V, Sperrverzögerungszeit: 75ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції HER307G за ціною від 8.19 грн до 43.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
HER307G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
на замовлення 2447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
HER307G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - HER307G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 125 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AA Durchlassstoßstrom: 125A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| HER307G | Виробник : Yangjie Electronic Technology |
High Efficient Rectifier |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
|
HER307G+ | Виробник : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - HER307G+ - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 125 A Bauform - Diode: DO-201AA Durchlassspannung Vf max.: 1.7 Diodenkonfiguration: Einfach Sperrerholzeit Trr, max.: 75 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 125 Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 800 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
HER307G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching Kind of package: tape Max. forward impulse current: 125A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1.7V Reverse recovery time: 75ns кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
HER307G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Rectifiers 75ns, 3A, 800V, High Efficient Recovery Rectifier |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
HER307G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching Kind of package: tape Max. forward impulse current: 125A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1.7V Reverse recovery time: 75ns |
товар відсутній |